短波紅外相機可進行半導體材料(如太陽能板)進行內部的檢測。也即可以應用于硅錠探傷，硅錠內雜質的檢查和硅片的隱裂檢測。
短波紅外相機主要具有以下特點：
1、高識別度：短波紅外SWIR成像主要基于目標反射光成像原理，其成像與可見光灰度圖像特征相似，成像對比度高，目標細節表達清晰，在目標識別方面，SWIR成像是熱成像技術的重要補充；
2、全天候適應：短波紅外SWIR成像受大氣散射作用小，透霧、霾、煙塵能力較強，有效探測距離遠，對氣候條件和戰場環境的適應性明顯優于可見光成像；
3、微光夜視：在大氣輝光的夜視條件下，光子輻照度主要分布在1.0～1.8μm的SWIR波段范圍內，這使得SWIR夜視成像相比于可見光夜視成像而言具有顯著的先天優勢；
4、隱秘主動成像：在0.9～1.7μm波段內，激光光源技術成熟(1.06μm、1.55μm)，這使得短波紅外成像在隱秘主動成像應用中具有顯著的對比優勢；
5、光學配置簡便：從光學上，玻璃光窗在SWIR波段范圍內具有很高的透過率，這賦予SWIR成像一個重要的技術優點，這允許SWIR相機可裝配于一個保護窗口內實現高靈敏成像，當應用于某種特定平臺或場合時，這將提供極大的靈活性。
